Hochleistungs-Single-Emitter-Laserdiodenchips/-stäbe/-arrays/-stapel

Name: Hochleistungs-Single-Emitter-Laserdiodenchips/-stäbe/-arrays/-stapel
Brand: Sintec Optronics
SKU: STCX-Serie
Rating: 4.9 (103 reviews)

Alle Produkte

Laser-Schneidemaschine
(37)

Laser-Markierungs-Maschine
(27)

Laserschweißmaschine
(14)

Laser-Reinigungsmaschine
(5)

Laser
(72)

Optik u. Kristalle
(14)

Laserteile
(35)

Laserinstrument
(16)

Ich bin online Chat Jetzt

Hochleistungs-Single-Emitter-Laserdiodenchips/-stäbe/-arrays/-stapel

Großes Bild : Hochleistungs-Single-Emitter-Laserdiodenchips/-stäbe/-arrays/-stapel

Produktdetails:

Herkunftsort:	China
Markenname:	Sintec Optronics
Modellnummer:	STCX-Serie

Zahlung und Versand AGB:

Lieferzeit:	5-7days
Zahlungsbedingungen:	Versand per Bank

Kontakt

Hochleistungs-Single-Emitter-Laserdiodenchips/-stäbe/-arrays/-stapel

Beschreibung

Hervorheben:

Laserdiode mit einem einzigen Emitter mit hoher Leistung

Laserdiode mit einem einzigen Emitter

Laserdiode

Hochleistungs-Dioden-Einzelemitter-Laserchips/-stäbe/-arrays/-stapel

(1) Hochleistungs-Einzelemitter-Laserchips – BC-Serie

Optisch
Mittenwellenlänge	nm	915	915	976	976
Wellenlängentoleranz	nm	±10	±10	±3	±3
Ausgangsleistung	W	25	30	25	30
Betriebsart	#	CW	CW	CW	CW
Fast-Axis-Divergenz	Grad	55	55	55	55
Slow-Axis-Divergenz	Grad	9.5	9.5	9.5	9.5
Spektrale Breite (FWHM)	nm	4	4	4	4
Wellenlängen-Temperaturkoeffizient	nm/℃	0,3	0,3	0,33	0,33
TE-Polarisation	%	97	97	97	97
Elektrisch
Emitterbreite	μm	195	230	195	230
Hohlraumlänge	mm	4.5	4.5	4.5	4.5
Breite	μm	400	400	400	400
Dicke	μm	145	145	145	145
Geometrisch
Elektrooptische Umwandlungseffizienz.	%	62	62	63	63
Steigungseffizienz	W/A	1.15	1.15	1.1	1.1
Thershold Current	A	1.5	1.8	1.1	1.5
Betriebsstrom	A	25	30	25	30
Betriebsspannung	V	1,65	1,65	1,55	1,55

(2) Hochleistungsdiodenbarren – BB-Serie

Optisch
Mittenwellenlänge	nm	808	808	808	808	940	940
Wellenlängentoleranz	nm	±10	±10	±10	±3	±3	±3
Ausgangsleistung	W	50	60	100	≥500	200	≥700
Fast-Axis-Divergenz	Grad	≤65	≤65	≤65	≤65	≤55	≤55
Slow-Axis-Divergenz	Grad	≤8,5	≤8,5	≤8,5	≤8,5	≤8,5	≤8,5
Spektrale Breite (FWHM)	nm	≤2,5	≤2,5	≤3	≤3,5	≤3	5
TE-Polarisation	TM/TE	TE	TE	TE	TE	TE	TE
Wellenlängen-Temperaturkoeffizient	nm/℃	0,28	0,28	0,28	0,28	0,3	0,3
Elektrisch
Elektrooptische Umwandlungseffizienz	%	≥55	≥55	≥55	≥58	≥63	≥63
Steigungseffizienz	W/A	1,25	1,25	1,25	1,25	1	1.15
Schwellenstrom	A	8	12	15	25	25	25
Betriebsstrom	A	50	60	105	≤430	220	650
Betriebsspannung	V	1.8	1.8	1.8	2,0	1,55	1.7
Impulsbreite	uns	-	-	-	200	-	500
Pulsfrequenz	Hz	-	-	-	400	-	160
Puls-Tastverhältnis	%	-	-	-	8	-	8
Geometrisch
Anzahl der Emitter	#	19	49	49	34	24	34
Emitterbreite	μm	150	100	100	232	200	232
Emitterabstand	μm	500	200	200	290	400	290
Füllfaktor	%	30	50	50	80	50	80
Hohlraumlänge	mm	1,0	1,0	1.5	1.5	3	2
Stabdicke	μm	145	145	145	115	115	115
Stablänge	mm	10	10	10	10.25	10.25	10.25
Thermal
Betriebstemperatur	℃	25	25	25	25	20	25
Lagertemperatur	℃	40~80	-40~80	40~80	40~80	-40~80	40~80
Fliessgeschwindigkeit	L/min	/	0,25	0,25	0,20	0,25	0,25

(3) Hochleistungsdioden-VCSEL-Chips – TOF-Serie

Optisch
Mittenwellenlänge@Iop	nm	808	850	940	940
Spektrale Breite (halbe Breite)	nm	2	2	2	2
Wellenlängenverschiebung / Temperatur	nm/℃	0,07	0,07	0,07	0,07
Emitteröffnung	μm	10	10	10	10
Mindestabstand des Emitters	μm	44	47	33	40
Emitternummer	/	621	1216	305	364
Ausgangsleistung	W	3.1	4	2.1	3.1
Betriebsstrom	A	3.5	5	2.8	3.5
Energieverbrauch	W	7	10	5.6	7
Betriebsspannung	V	2	2	2	2
Betriebseffizienz	%	35	40	40	40
Schwellenstrom	A	0,7	1.2	0,38	0,47
Divergenzwinkel	°	22	22	20	20
Geometrisch
Emitterlänge	μm	916	1535	525	916
Emitterbreite	μm	901	1560	615	610
Chiplänge	μm	1206	1845	695	996
Spanbreite	μm	1006	1670	795	890
Spandicke	μm	100	100	100	100

(4) Hochleistungsdioden-VCSEL-Chips – SL-Serie

Optisch
Mittenwellenlänge@Iop	nm	934	940	946
Spektrale Breite (halbe Breite)	nm		2
Wellenlängenverschiebung / Temperatur	nm/℃		0,07
Emitteröffnung	μm		8
Mindestabstand des Emitters	μm		21
Emitternummer (Bereich A)	-		377
Emitternummer (Bereich B)	-		6
Ausgangsleistung (Bereich A)	W	1.3	1.5	1.7
Ausgangsleistung (Bereich B)	W		0,024
Single-Point-Power	W		0,004
Betriebsstrom (Bereich A)	A		3.6
Betriebsstrom (Bereich B)	A		0,06
Stromverbrauch (Bereich A)	W		3.6
Stromverbrauch (Bereich B)	W		0,06
Betriebsspannung	V		2
Betriebseffizienz	%		40	45
Schwellenstrom (Bereich A)	A		0,38
Schwellenstrom (Bereich B)	A		0,006
Divergenzwinkel	°		20
Geometrisch
Länge der Leuchtzone	μm		523
Breite der lichtemittierenden Fläche	μm		548
Chiplänge	μm	758	778	798
Spanbreite	μm	701	721	741
Spandicke	μm	90	100	110

(5) Hochleistungsdioden-VCSEL-Chips – LI-Serie

Optisch
Mittenwellenlänge	nm	905	940
Spektrale Breite (halbe Breite)	nm	2	2
Wellenlängenverschiebung / Temperatur	nm/℃	0,07	0,07
Emitteröffnung	μm	12	12
Mindestabstand des Emitters	μm	22	22
Emitternummer	/	136	136
Ausgangsleistung	W	60	60
Betriebsstrom	A	15	15
Energieverbrauch	W	300	300
Betriebsspannung	V	25	25
Betriebseffizienz	%	20	20
Schwellenstrom	A	0,2	0,2
Divergenzwinkel	°	20	20
Geometrisch
Emitterlänge	μm	273	273
Emitterbreite	μm	288	288
Chiplänge	μm	520	520
Spanbreite	μm	401	401
Spandicke	μm	100	100

(6) Hochleistungsdiodenlasergerät – COS-Serie

Optisch
Mittenwellenlänge	nm	915	915	976	976
Wellenlängentoleranz	nm	±10	±10	±3	±3
Ausgangsleistung	W	25	30	25	30
Betriebsart	#	CW	CW	CW	CW
Fast-Axis-Divergenz	Grad	55	55	55	55
Slow-Axis-Divergenz	Grad	9.5	9.5	9.5	9.5
Spektrale Breite (FWHM)	nm	4	4	4	4
Wellenlängen-Temperaturkoeffizient	nm/℃	0,3	0,3	0,33	0,33
TE-Polarisation	%	97	97	97	97
Elektrisch
Elektrooptische Umwandlungseffizienz	%	62	62	63	63
Steigungseffizienz	W/A	1.15	1.15	1.1	1.1
Thershold Current	A	1.5	1.8	1.1	1.5
Betriebsstrom	A	25	30	25	30
Betriebsspannung	V	1,65	1,65	1,55	1,55
Geometrisch
Emitterbreite	μm	195	230	195	230
Hohlraumlänge	mm	4.5	4.5	4.5	4.5
Breite	μm	400	400	400	400
Dicke	μm	145	145	145	145

(7) Hochleistungsdiodenlasergeräte – MCC-Serie

Optisch
Mittenwellenlänge	nm	808	808	808	808	940	940
Wellenlängentoleranz	nm	±10	±10	±10	±10	±3	±3
Ausgangsleistung	W	50	60	100	≥500	200	200
Fast-Axis-Divergenz	Grad	≤65	≤65	≤65	≤65	≤55	≤55
Slow-Axis-Divergenz	Grad	≤8,5	≤8,5	≤8,5	≤8,5	≤8,5	≤8,5
Spektrale Breite (FWHM)	nm	≤2,5	≤2,5	≤3	≤3,5	≤3	≤3
Polarisationsmodus	TM/TE					TE	TE
Wellenlängen-Temperaturkoeffizient	nm/℃	0,28	0,28	0,28	0,28	0,3	0,3
Elektrisch
Elektrooptische Umwandlungseffizienz	%	≥55	≥55	≥55	≥58	≥63	≥63
Steigungseffizienz	W/A	1,25	1,25	1,25	1,25	1	1.15
Thershold Current	A	8	12	15	25	25	25
Betriebsstrom	A	50	60	105	≤430	220	650
Betriebsspannung	V	1.8	1.8	1.8	2,0	1,55	1.7
Impulsbreite	uns	-	-	-	200	-	500
Pulsfrequenz	Hz	-	-	-	400	-	160
Puls-Arbeitszyklus	%	-	-	-	8	-	8
Geometrisch
Anzahl der Emitter	#	19	49	49	34	24	34
Emitterbreite	μm	150	100	100	232	200	232
Emitterabstand	μm	500	200	200	290	400	290
Füllfaktor	%	30	50	50	80	50	80
Hohlraumlänge	mm	1,0	1,0	1.5	1.5	3	2
Stabdicke	μm	145	145	145	115	115	115
Stablänge	mm	10	10	10	10.25	10.25	10.25
Thermal
Betriebstemperatur.	℃	25	25	25	25	20	25
Lagertemperatur.	℃	-40~80	-40~80	-40~80	-40~80	-40~80	-40~80
Wasserdurchflussrate	L/min	/	0,25	0,25	0,20	0,25	0,25

(8) Hochleistungs-Diodenlaser-Stacks – MCP-Serie

Optisch
Mittenwellenlänge	nm	808	808	808
Wellenlängentoleranz	nm	±10	±10	±3
Ausgangsleistung	W	60	100	300
Anzahl der Balken	#	2 ～ 60	2 ～ 60	2 ～ 60
Spektrale Breite (FWHM)	nm	≤8	≤8	4
Betriebsart	#	CW	CW	QCW
Fast-Axis-Divergenz	Grad	≤42	≤42	40
Slow-Axis-Divergenz	Grad	≤10	≤10	10
Wellenlängen-Temperaturkoeffizient	nm/℃	0,28	0,28	0,28
Elektrisch
Effizienz der Energieumwandlung	%	50	50	50
Steigungseffizienz/Bar	W/A	≥1,1	≥1,1	1.1
Schwellenstrom	A	4.5	4.5	4.5
Betriebsstrom	A	0,16	0,16	290
Betriebsspannung/Bar	V	≤2	≤2	1.8
Thermal
Betriebstemperatur	℃	15 ～ 35	15 ～ 35	25
Lagertemperatur	℃	0~55	0~55	0~55
Bar/Wassergeschwindigkeit/Bar	l/m	0,3~0,5	0,3~0,5	0,3
Maximaler Eingangsdruck	psi	55	55	55
Wassertyp	-	DI-Wasser	DI-Wasser	DI-Wasser
Widerstandsfähigkeit gegenüber entionisiertem Wasser (DI)	kΩ·cm	200~500	200~500	200~500
Reine Wasserfilterpartikel	μm	<20	<20	<20

(9) Hochleistungs-Diodenlaser-Stacks – QCP-Serie

Optisch
Mittenwellenlänge	nm	808	808
Wellenlängentoleranz	W	±3	±10
Bar-Ausgangsleistung/Bar	%	300	40
Anzahl der Balken	%	2 ～ 24	60
Gesamtausgangsleistung	μm	-	2400
Abstand von Balken zu Balken	-	0,4 ～ 1,8	0,9
Spektrale Breite (FWHM)	-	4	8
Impulsbreite	M	50-500	10-100
Wiederholungsrate		1-200	1-10
Fast-Axis-Divergenz (FWHM)	nm	40	40
Slow-Axis-Divergenz (FWHM)	mW	10	10
Wellenlängen-Temperaturkoeffizient		0,28	0,28
Elektrisch
Elektrooptische Umwandlungseffizienz	%	50	50
Steigungseffizienz/Bar	W/A	1.1	1.1
Schwellenstrom	A	20	10
Betriebsstrom	A	300	50
Betriebsspannung/Bar	V	2	1.8
Thermal
Wassertyp	-	Reines Wasser	Reines Wasser
Betriebstemperatur	℃	25	25
Lagertemperatur	℃	-40-85	-40-85

(10) Hochleistungsdiodenlasergeräte – TO-Serie

Optisch
		Mindest	Typisch	Max
Mittenwellenlänge	nm	820	830	840
Wellenlängentoleranz	nm		±10
Ausgangsleistung	W		1,0
Spektrale Breite (FWHM)	nm		3,0	4,0
Wellenlängen-Temperaturkoeffizient	nm/℃		0,3
Elektrisch
Elektrooptische Umwandlungseffizienz	%	36	42
Steigungseffizienz	W/A	1.05	1.1
Schwellenstrom	A		0,38	0,45
Betriebsstrom	A		1.28	1,40
Betriebsspannung	V		1.8	2.2
Thermal
Betriebstemperatur	℃	0	25	40
Lagertemperatur	℃		-20~70