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Unmontierte Einzeldiodenemitter und -barren / Diodenlaser-gepackte Barren und Arrays

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Unmontierte Einzeldiodenemitter und -barren / Diodenlaser-gepackte Barren und Arrays

Unmontierte Einzeldiodenemitter und -barren / Diodenlaser-gepackte Barren und Arrays
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Großes Bild :  Unmontierte Einzeldiodenemitter und -barren / Diodenlaser-gepackte Barren und Arrays

Produktdetails:
Herkunftsort: China
Markenname: Sintec Optronics
Modellnummer: STHT-Serie
Zahlung und Versand AGB:
Lieferzeit: Lagerbestand
Zahlungsbedingungen: Versand per Bank

Unmontierte Einzeldiodenemitter und -barren / Diodenlaser-gepackte Barren und Arrays

Beschreibung
Hervorheben:

Nicht montierte Einzeldiodenemittenten und -stangen

,

Diodenlaserverpackte Stäbe und Arrays

,

Diodenchips und Barren

Unmontierte Einzeldiodenemitter und -barren / Diodenlaser-gepackte Barren und Arrays

 

1. Unmontierte Einzeldioden-Emitter und -Stäbe

Halbleiterlaser gehören zu den heutigen Industrielasern.Ob direkte Materialbearbeitung oder optisches Pumpen von Festkörperlasern, Faserlasern oder Scheibenlasern, die unmontierten Einzelemitter und Barren sind die Schlüsselkomponente für die anfängliche Umwandlung elektrischer Energie in Licht.

Wir konzentrieren uns seit 1998 auf die Halbleiter-Wafer-Technologie und liefern Multimode-Hochleistung bei Wellenlängen zwischen 808 und 1064 nm.

  • Unmontierte Hochleistungs-Multimode-Stäbe mit bis zu 40 W CW- und 200 W QCW-Ausgang
  • Unmontierte Einzelstrahler bis 2W CW-Leistung
  • Zu den verfügbaren Wellenlängen gehören 808 nm und 980 nm
Teile-Nr. Wellenlänge Ausgangsleistung Emitterbreite Hohlraumlänge Breite
STHT-CLDM-0808-0500-02 808 ± 5 nm 500 mW 50 µm 600 µm 500 µm
STHT-CLDM-0808-1000-02 808 ± 5 nm 1W 100 µm 900 µm 500 µm
STHT-CLDM-0808-2000-02 808 ± 5 nm 2W 100/150 µm 1500/1000 µm 500 µm
STHT-CLDM-0980-0500-02 980 ± 10 nm 500 mW 50 µm 600 µm 500 µm
STHT-CLDM-0980-1000-02 980 ± 10 nm 1W 100 µm 900 µm 500 µm
STHT-CLDM-0980-2000-02 980 ± 10 nm 2W 150 µm 1000 µm 500 µm
Unmontierte Stangen Wellenlänge Ausgangsleistung Betriebsmodus Füllfaktor Anzahl der Einzelemitter
STHT-LDAC1-0808-0020 808 ± 5 nm 20W CW 20 % 19
STHT-LDAC1-0808-0040 808 ± 5 nm 40W CW 30 % 19
STHT-LDAQ1-0808-0100 808 ± 5 nm 100W QCW 87 % 100
STHT-LDAQ1-0808-0200 808 ± 5 nm 200W QCW 71 % 58

2. Verpackte Dioden-Einzelemitter

Bei den verpackten Einzelemittern der LDM-Serie handelt es sich um Halbleiterlaser mit Fabry-Perot-Resonator, die auf Quantentopfepitaxie und Stegwellenleiterstrukturdesign basieren.Sintec-Gehäuseeinzelemitter bieten hervorragende Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Die mittlere Wellenlänge umfasst 635 nm, 650 nm, 670 nm, 785 nm, 808 nm, 830 nm, 9xx nm und 1064 nm
  • Zu den Gehäusedesigns gehören TO-Mounts, COS-Mounts, C-Mounts und F-Mounts
  • Bieten Sie Strahlformungsdienste wie Fast-Axis-Komprimierung entsprechend den Kundenanforderungen an
Teile-Nr. Wellenlänge

 

nm

Ausgangsleistung (20 °C) Betriebsstrom Betriebsspannung Paket
STHT-LDM-0635-500m 635 500 mW ≤1,35A ≤2,3 V C-Mount / TO3
STHT-LDM-0650-300m 650 300 mW ≤1,0A ≤2,3 V C-Mount / TO3
STHT-LDM-0670-300m 670 300 mW ≤1,0A ≤2,3 V C-Mount / TO3
STHT-LDM-0808-200m 808 200 mW ≤220mA ≤2,0 V TO56
STHT-LDM-0808-300m 808 300 mW ≤330mA ≤2,0 V TO56
STHT-LDM-0808-500m 808 500 mW ≤560mA ≤2,0 V TO9
STHT-LDM-0808-001W 808 1W ≤1,24A ≤2,0 V TO9
STHT-LDM-0808-002W 808 2W ≤2,1A ≤2,0 V CoS/F-Mount/C-Mount
STHT-LDM-0808-003W 808 3W ≤3,3A ≤2,0 V CoS/ F-Mount/ C-Mount
STHT-LDM-0808-005W 808 5W ≤5,5A ≤2,0 V CoS/ F-Mount/ C-Mount
STHT-LDMP-0808-007W 808 7W (ms Impuls) ≤7,8A ≤3,0 V TO56
STHT-LDM-0808-008W 808 8W ≤10A ≤2,0 V CoS/ F-Mount/ C-Mount
STHT-LDM-0830-001W 830 1W ≤1,3A ≤2,0 V CoS/C-Mount
STHT-LDMP-0830-005W 830 5W (ms Impuls) ≤5,30A ≤3,0 V TO56
STHT-LDM-0915-010W 915 10W ≤11A ≤2,2 V CoS/F-Mount
STHT-LDM-0940-003W 940 3W ≤3,2A ≤2,0 V CoS/ F-Mount/ C-Mount
STHT-LDM-0980-500m 980 500 mW ≤700mA ≤2,0 V TO9
STHT-LDM-0980-001W 980 1W ≤1,3A ≤2,0 V TO9
STHT-LDM-0980-002W 980 2W ≤2,3A ≤2,0 V CoS/C-Mount
STHT-LDM-0980-003W 980 3W ≤3,6A ≤2,0 V CoS/C-Mount
STHLDMP-980-005W 980 5W (ms Impuls) ≤5,8A ≤3,0 V TO56

3. Mit Diodenlasern verpackte Stäbe und Arrays

Die kompakten Hochleistungsstäbe der LDA-Serie bieten OEM-Kunden skalierbare Leistung bis zu Kilowatt für Pumpen, Industrie, Medizin und Anwendungen.Die verpackten Laserbarren können für eine verbesserte Helligkeit durch Stapeln konfiguriert und für eine optimierte Licht- und Materialintegration linear oder vertikal skaliert werden.Angebot der LDA-Serie:

  • Wellenlängen im Bereich von 808 nm bis 1100 nm
  • Modulares und kompaktes Design für einfache Integration
  • Bis zu 100 W CW- und 300 W QCW-Laserdiodenbarren für hohe Helligkeit
  • Verpackter 10-mm-Laserdiodenbarren, verschiedene Standardbarrenkonfigurationen (kundenspezifische Barrenkonfigurationen auf Anfrage erhältlich)
Verpackte Riegel Mittenwellenlänge Ausgangsleistung Betriebsmodus Kühlung
STHT-LDAC1-0808-020W 808 nm 20W CW Konduktionsgekühlt
STHT-LDAC1-0808-040W 808 nm 40W CW Konduktionsgekühlt
STHT-LDAC1-0808-060W 808 nm 60W CW Konduktionsgekühlt
STHT-LDAC1-09xx-060W 9xxnm 60W CW Konduktionsgekühlt
STHT-LDAC1-1064-040W 1064 nm 40W CW Konduktionsgekühlt
STHT-LDAC1-0808-040W 808 nm 40W CW Mikrokanalgekühlt
STHT-LDAC1-0808-060W 808 nm 60W CW Mikrokanalgekühlt
STHT-LDAC1-0808-100W 808 nm 100W CW Mikrokanalgekühlt
STHT-LDAC1-09xx-060W 9xxnm 60W CW Mikrokanalgekühlt
STHT-LDAC1-1064-040W 1064 nm 40W CW Mikrokanalgekühlt
STHT-LDAQ1-0808-100W 808 nm 100W QCW Konduktionsgekühlt
STHT-LDAQ1-0808-200W 808 nm 200W QCW Konduktionsgekühlt
STHT-LDAQ1-0808-300W 808 nm 300W QCW Konduktionsgekühlt
Vertikale Arrays Mittenwellenlänge Leistung pro Balken Betriebsmodus Kühlung
STHT-LDAC2-0808-xxx 808 nm 40-100W CW Mikrokanalgekühlt
STHT-LDAC2-09xx-xxx 9xxnm 40-100W CW Mikrokanalgekühlt
STHT-LDAC2-1064-040W 1064 nm 40W CW Mikrokanalgekühlt
STHT-LDAQ2-0808-xxx 808 nm 100–300 W QCW Konduktionsgekühlt
STHT-LDAQ2-0940-xxx 940 nm 100-200W QCW Konduktionsgekühlt
Horizontale Arrays Mittenwellenlänge Leistung pro Balken Betriebsmodus Kühlung
STHT-LDAC3-0808-xxx 808 nm 40-100W CW Mikrokanalgekühlt
STHT-LDAC3-09xx-xxx 9xxnm 40-100W CW Mikrokanalgekühlt
STHT-LDAC3-1064-040W 1064 nm 40W CW Mikrokanalgekühlt
STHT-LDAC3-0808-xxx 808 nm 40-100W CW Makrokanalgekühlt
STHT-LDAC3-09xx-xxx 9xxnm 40-100W CW Makrokanalgekühlt
STHT-LDAC3-1064-040W 1064 nm 40W CW Makrokanalgekühlt
STHT-LDAQ3-0808-xxx 808 nm 100–300 W QCW Makrokanalgekühlt
STHT-LDAQ3-0940-xxx 940 nm 100-200W QCW Makrokanalgekühlt
  • Die mittlere Wellenlänge von 9xx nm umfasst 915 nm/940 nm/980 nm.
  • Bitte kontaktieren Sie uns, um Ihre spezifischen Anforderungen zu besprechen.

4. Diodenlaser-Arrays zur Haarentfernung

Die vertikalen Arrays, die speziell für Haarentfernungsanwendungen entwickelt wurden, können bis zu 10 verpackte Laserbarren stapeln, um eine Hochleistungsdiodenlaserbaugruppe zu bilden.Jeder dieser Laserbarren leistet einzeln bis zu 100 Watt im CW-Modus.Durch die geringen Abstände zwischen den Laserbarren erhält das Modul die maximale Brillanz der Arrays und ermöglicht so einen hocheffizienten Betrieb des Moduls

  • Leistung bis zu 1000 W
  • Kompakte Designs
  • Zuverlässiges Gehäuse mit Hartlot
Teile-Nr. STHT-LDAQ2-0808-300 STHT-LDAQ2-0808-500 STHT-LDAQ2-0808-800 STHT-LDAQ2-0808-1000
Betriebsmodus QCW QCW QCW QCW
Mittenwellenlänge nm 808 ± 10 808 ± 10 808 ± 10 808 ± 10
Ausgangsleistung W 300 500 800 1000
Taktzahlen 5/ 6 10 8 10
Betriebsstrom A ≤50 ≤50 ≤100 ≤100
Betriebsspannung V/bar ≤2 ≤2 ≤2 ≤2
Impulsbreite ms ≤400 ≤400 ≤200 ≤200
Auslastungsgrad % ≤40 ≤40 ≤20 ≤20
Stabteilung mm 2 2 2.8 2.8
Emissionsfläche mm 10×11 10×19,5 10x20 10x25,5
Betriebstemperatur.℃ 15~35 15~35 15~35 15~35
Lagertemperatur.℃ -10~50 -10~50 -10~50 -10~50
Durchflussrate l/min >4 >4 >4 >4

Kontaktdaten
Wuhan Sintec Optronics Co., Ltd,

Ansprechpartner: Steven

Telefon: +86 15671598018

Faxen: 86-027-51858989

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